东南大学下一代半导体材料研究所位于东南大学苏州校区，由江苏省产业技术研究院与苏州工业园区支持共建。目前主要研究方向是宽禁带（氮化镓、碳化硅）及超宽禁带（金刚石、氮化铝、氧化镓）等半导体材料的生长和表征，相关电学与光电器件的设计、工艺与测试，以及半导体材料与器件的应用。研究所在半导体材料、微电子学、固体物理学等领域开展前沿交叉学科研究的同时，注重半导体技术的产业化研究，提供充足的一线产业界实习机会。现因工作需要，诚聘助理研究员（2名），欢迎各方英才加入我们团队，为了共同的科研兴趣和学术目标一起奋斗！
招聘方向
课题组拟招聘助理研究员2名，研究方向如下：
（1）宽禁带、超宽禁带半导体材料的生长与表征；
（2）宽禁带、超宽禁带半导体相关器件（如高迁移率晶体管、深紫外LED）的工艺设计与制备；
（3）基于半导体材料相关器件的性能表征与可靠性测试；
（4）下一代半导体材料与器件的产业化。
应聘条件
博士后/助理研究员
首聘时原则上年龄不超过40岁，要求半导体材料学、物理学、微电子学、化学等相关学科背景
有较强的独立科研能力及团队合作精神，性格开朗，积极向上；
良好的中、英文阅读和写作能力，以第一作者或主要参与者身份在高水平中、英期刊上发表过相关领域的学术论文者优先
具有半导体材料生长，材料测试和相关器件制备、表征或应用等研究领域背景者优先。具备金刚石体晶、薄膜、厚膜生长经验者，尤其是微波等离子体CVD(MPCVD)生长经验者优先。
薪酬待遇
按东南大学专职科研岗引进，聘期与年薪根据个人背景与履历面议。
享受苏州地方政策，可申请苏州新一轮合作的高层次人才引进专项资金（最高20万）。
配套住房公积金，享受学校公费医疗待遇，学校为专职科员人员办理社保；
聘期结束，科研成果突出者，推荐聘用为东南大学副教授/教授岗位。
申请方式
应聘者请将应聘材料（个人简历含个人联系方式、学习工作经历，参与课题的介绍，熟练掌握的实验技能，发表论文清单）发电子邮件至邮箱：顾老师，103200014@seu.edu.cn。
