近日，东南大学苏州校区倪贤锋研究员在IEEE上发表了关“Improvement of AlN Material Quality by High-Temperature Annealing Toward Power Diodes（功率二极管高温退火对AlN材料质量的改善）”的研究论文，被国际半导体业界著名媒体《Semiconductor Today》 第一时间报道。报道中指出该研究成果能显著的提高蓝宝石上氮化铝（AlN）的材料晶体质量，为氮化铝材料在电力电子及其他如深紫外消毒等领域的关键应用铺平道路。
倪贤锋研究员为该论文第一作者，相关科研工作由东南大学苏州校区、苏州汉骅半导体有限公司和台湾隆达电子股份有限公司为共同完成单。倪贤锋研究员团队所在的苏州校区科研平台—“东南大学下一代半导体材料研究所”，由江苏省产业技术研究院、苏州工业园区与东南大学三方共同建设，成立于2018年11月，顾星研究员担任所长，团队主要成员有倪贤锋、范谦、华斌等。研究所主要研究方向是下一代宽禁带（氮化镓、碳化硅）及超宽禁带（金刚石、氮化铝、氧化镓）等半导体材料的生长和表征，相关电学与光电器件的设计、工艺与测试，以及半导体材料与器件的应用。在学术研究的基础上，研究所也专注于下一代半导体技术的产业化研究，立志于争取将宽禁带半导体技术在长三角地区产业化，成为推动宽禁带材料在长三角半导体产业的高质量发展的重要一员。同时研究所通过提供了充足的一线产业界实习机会，着力于为本地培养半导体领域的优秀研究生。
