一、概况
东南大学下一代半导体材料研究所（以下简称研究所）由江苏省产业技术研究院、苏州工业园区与东南大学三方共同建设，于2018年11月成立，坐落于东南大学苏州校区，由顾星教授带领其团队组织具体工作。研究所主要研究领域是下一代宽禁带（氮化镓、碳化硅）与超宽禁带（金刚石、氮化铝、氧化镓）等半导体材料的生长和表征，相关电学与光电器件的设计、工艺与测试，以及半导体材料与器件的应用。在学术研究的基础上，研究所进一步强调下一代半导体技术的产业化研究，立志于将宽禁带半导体技术在长三角地区产业化，成为推动宽禁带半导体产业的高质量发展的重要一员。同时研究所提供了充足的一线产业界实习机会，着力培养下一代半导体领域的优秀研究生和领军人才。
研究所现有4名研究员，均为海外归国博士、正高职称，研究所也计划持续从海外引入资深半导体领域高级专家研究人员。研究所拥有1000多平方米的教学和办公场地，和5000平方米的半导体洁净室。硬件设备方面，除了拥有多台MOCVD半导体材料研发与产业化设备外，研究所仍在继续引进半导体材料与芯片研发的关键高端设备，包括已从法国PLASSYS定制并引进国内首台可实现6/8英寸高质量金刚石薄膜沉积的微波等离子体化学气相沉积设备（MPCVD）、可实现4英寸以上高质量碳化硅/氮化铝单晶的生长设备、可实现1800℃高温热退火处理的半导体级热处理设备等。
二、科学研究
研究方向：
1、下一代半导体的材料生长与表征；
2、基于下一代半导体材料的相关器件（例如高迁移率晶体管、深紫外发光二极管等）的设计与制备；
3、基于下一代半导体材料的相关器件的性能表征与可靠性测试；
4、下一代半导体材料与器件的产业化。
三、联系方式
地址：东南大学苏州校区成贤院207室
联系方式：顾星 xinggu@seu.edu.cn
国内首台6英寸/8英寸金刚石微波等离子体CVD系统
4英寸碳化硅单晶生长炉
半导体级超高温热处理系统
