喜报：苏州校区顾星研究员获国家自然科学基金面上项目立项

近日,国家自然科学基金委发布了“关于2020年度国家自然科学基金申请项目评审结果的通告”,苏州校区顾星研究员主持的“面向未来移动通讯应用的高可靠性金刚石基超高温GaN射频外延生长机理研究”面上项目荣获立项资助, 项目批准号: 62074033，资助经费为59万元。

本项目将系统研究氮化镓外延结构中高铝/纯铝组分关键层（如隔离层）的关键共性技术研究，通过超高温MOCVD生长机制的基础研究系统阐释超高温MOCVD工艺与生长外延材料的本质性关联，实现能够大幅提升氮化镓射频新能与可靠性的高质量氮化镓射频外延。同时通过优化氮化镓外延结构设计和金刚石的起始生长，最小化金刚石与氮化镓之间的界面热阻，以实现氮化镓外延结构与金刚石散热层的高质量集成。

本项目是全国乃至世界范围内，首次将超高温MOCVD氮化物外延生长工艺应用于氮化镓射频外延的关键层级的重大原创性基础研究。通过高质量、超薄介质层的系统性研究及导入，展示超高温氮化物外延与热导率最高的金刚石材料的高质量集成，为充分发挥氮化镓射频材料与器件的最大潜力，在以5G/6G为代表的未来无线通讯技术中大规模国产应用提供技术上的坚实支持。

顾星研究员为苏州校区全职引进专职科研人员，并担任东南大学下一代半导体材料研究所所长，研究所简介如下：

一、概况

东南大学下一代半导体材料研究所（以下简称研究所）由江苏省产业技术研究院、苏州工业园区与东南大学三方共同建设，于2018年11月成立，坐落于东南大学苏州校区，由顾星研究员带领其团队组织具体工作。研究所主要研究领域是下一代宽禁带（氮化镓、碳化硅）与超宽禁带（金刚石、氮化铝、氧化镓）等半导体材料的生长和表征，相关电学与光电器件的设计、工艺与测试，以及半导体材料与器件的应用。在学术研究的基础上，研究所进一步强调下一代半导体技术的产业化研究，立志于将宽禁带半导体技术在长三角地区产业化，成为推动宽禁带半导体产业的高质量发展的重要一员。同时研究所提供了充足的一线产业界实习机会，着力培养下一代半导体领域的优秀研究生和领军人才。

研究所现有4名研究员，均为海外归国博士、正高职称，研究所也计划持续从海外引入资深半导体领域高级专家研究人员。研究所拥有1000多平方米的教学和办公场地，和5000平方米的半导体洁净室。硬件设备方面，除了拥有多台MOCVD半导体材料研发与产业化设备外，研究所仍在继续引进半导体材料与芯片研发的关键高端设备，包括已从法国PLASSYS定制并引进国内首台可实现6/8英寸高质量金刚石薄膜沉积的微波等离子体化学气相沉积设备（MPCVD）、可实现4英寸以上高质量碳化硅/氮化铝单晶的生长设备、可实现1800℃高温热退火处理的半导体级热处理设备等。